Излагаются принципы действия и схемотехническое построение изделий микрофотоэлектроники, создаваемых на основе фоторезисторных, фотодиодных, фототранзисторных и пироэлектрических фотоприемных устройств, фоторезистор-диодных, фотодиод-диодных, фотодиод-МДП-транзисторных и других структур.Приводятся инженерные методы расчета отдельных параметров и методы их измерения, а также возможные области применения.